Транзистор IXYS IXFT120N15P N-MOSFET 150V 120A TO268 (2 шт.)

Транзистор IXYS IXFT120N15P — це силовий N-MOSFET у корпусі TO268, призначений для роботи з напругою до 150 В та струмом до 120 А. Комплект складається з 2 одиниць.

• Струм стоку: 120 А
• Напруга стік-витік: 150 В
• Розсіювана потужність: 600 Вт
• Опір у відкритому стані: 16 мОм
• Час готовності: 200 нс
• Корпус: TO268 (SMD)
• Комплектація: 2 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 120 А та розсіювання потужності до 600 Вт. Номінальна напруга стік-витік становить 150 В, що визначає верхню межу робочої напруги.

Швидкість та опір

Час готовності (turn-on time) дорівнює 200 нс. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 16 мОм. Заряд затвора — 150 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологіями HiPerFET™ та PolarHT™. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж) у корпусі TO268. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode), полярність — уніполярна. Заряд затвора становить 150 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Номінальна напруга стік-витік — 150 В, постійний струм стоку — 120 А.