Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR32N100Q3, 1 кВ, 23 А, ISOPLUS247™
3 840 ₴
- В наявності
- Код: TM019281
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR32N100Q3, 1 кВ, 23 А, ISOPLUS247™В наявності
3 840 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR32N100Q3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи у високовольтних електронних схемах. Модель поєднує робочу напругу 1 кВ та струм 23 А,.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 23 А
- Потужність розсіювання: 570 Вт
- Корпус: ISOPLUS247™, монтаж THT
- Заряд затвора: 195 нКл
Високовольтна стійкість
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ, що дозволяє використовувати його у мережах із підвищеною напругою.
Ефективне керування струмом
Прилад витримує постійний струм дрена 23 А, що робить його придатним для силових ключів у потужних пристроях. Номінальна потужність розсіювання 570 Вт вимагає якісного відведення тепла,.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі ISOPLUS247™ з технологією монтажу THT (скрізь отвори).
Технічні параметри керування
Заряд затвора становить 195 нКл,. Опір у стані провідності 0,35 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 570 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 23 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | ISOPLUS247™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 840 ₴