Транзистор IXYS IXFR26N100P N-MOSFET 1000В 15А ISOPLUS247

Транзистор IXYS IXFR26N100P — це силовий N-MOSFET у корпусі ISOPLUS247™, призначений для роботи з напругою до 1 кВ та струмом 15 А. Компонент забезпечує розсіювання потужності до 290 Вт, що робить його придатним для високовольтних промислових застосувань.

• Напруга дрена-джерела: 1 кВ
• Струм дрена: 15 А
• Потужність розсіювання: 290 Вт
• Корпус: ISOPLUS247™
• Тип монтажу: THT
• Опір у стані провідності: 0,43 Ом

Високовольтна стійкість

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із високим рівнем напруги, де стандартні низьковольтні MOSFET не можуть забезпечити необхідну ізоляцію та безпеку роботи.

Потужність та струм

Прилад витримує постійний струм дрена 15 А та має потужність розсіювання 290 Вт. Такі параметри дають змогу працювати з значними навантаженнями, забезпечуючи стабільність роботи пристрою під час тривалих циклів експлуатації.

Зручний монтаж

Компонент виконаний у корпусі ISOPLUS247™ з типом монтажу THT (скрізний монтаж).

Електричні характеристики

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Опір у стані провідності становить 0,43 Ом, а заряд затвора — 197 нКл.

Транзистор IXYS IXFR26N100P є компонентом для електронних схем.