Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR24N100Q3, 1 кВ, 18 А, ISOPLUS247
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM035926
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR24N100Q3, 1 кВ, 18 А, ISOPLUS247В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXFR24N100Q3 — це уніполярний N-MOSFET транзистор від виробника IXYS, з максимальними параметрами 1 кВ та 18 А. Прилад виконаний у корпусі ISOPLUS247™ з виводами для монтажу на плату (THT),.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 18 А
- Потужність розсіювання: 500 Вт
- Опір у стані провідності: 0,49 Ом
- Корпус: ISOPLUS247™, монтаж THT
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ та постійний струм дрена 18 А. Опір у стані провідності становить 0,49 Ом,.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання цього транзистора становить 500 Вт. Зарядка затвора дорівнює 0,14 µC,.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі ISOPLUS247™,. Тип монтажу — THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори в платі. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode),.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 500 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 490 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | ISOPLUS247™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴