
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR20N80P, 800 В, 10 А, ISOPLUS247™, комплект 3 шт.
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM074641
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFR20N80P — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В та струмом до 10 А. Товар поставляється комплектом із 3 штук у корпусі ISOPLUS247™ з монтажем THT.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Номінальний струм стіка: 10 А
- Потужність розсіювання: 160 Вт
- Опір у відкритому стані: 570 мОм
- Корпус: ISOPLUS247™, монтаж THT
- Комплект: 3 штуки
Електричні параметри
Прилад має напругу стік-виток 800 В та номінальний струм стіка 10 А. Потужність розсіювання становить 160 Вт, а опір у відкритому стані — 570 мОм. Заряд затвора дорівнює 86 нКл.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі ISOPLUS247™. Монтаж здійснюється методом THT (скрізний монтаж), що дозволяє встановлювати компонент у отвори друкованої плати.
Комплектація
У комплекті постачається 3 транзистори IXFR20N80P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 570 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | ISOPLUS247™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴
