Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP90N20X3, 200В, 90А, TO220AB — набір 3 шт.
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM074637
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP90N20X3, 200В, 90А, TO220AB — набір 3 шт.В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXFP90N20X3 — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 200 В та струм 90 А. Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™ X3-Class у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Струм дрена 90 А та напруга 200 В
- Опір у стані провідності 12,8 мОм
- Розсіювана потужність 390 Вт
- Час готовності 85 нс
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Комплект із 3 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 200 В та витримує постійний струм дрена 90 А. Опір у стані провідності становить 12,8 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 390 Вт, а заряд затвора — 78 нКл.
Швидкість перемикання
Час готовності транзистора становить 85 нс. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Комплектація
У комплекті поставляється 3 транзистори IXFP90N20X3. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Технологія виготовлення HiPerFET™ X3-Class визначає конструктивні особливості приладу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 85 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴