Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP8N65X2, 650В, 8А, TO220AB — набір 10 шт.
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM074636
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP8N65X2, 650В, 8А, TO220AB — набір 10 шт.В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXFP8N65X2 — це N-канальний MOSFET з технологією HiPerFET™ та класом X2, призначений для роботи з напругою до 650 В та струмом 8 А. Прилад виконаний у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT) і постачається набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, клас X2, технологія HiPerFET™
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 8 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Основні електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 650 В та максимальний струм дрена 8 А, що визначає його робочий діапазон. Потужність розсіювання становить 150 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Швидкість перемикання та опір
Час готовності транзистора становить 105 нс. Опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом, а заряд затвора — 11 нКл.
Монтаж та комплектація
Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220AB. Товар постачається як набір із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 105 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴