Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N100P, 1 кВ, 7 А, 300 Вт, TO220AB — набір 3 шт.
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM074634
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP7N100P, 1 кВ, 7 А, 300 Вт, TO220AB — набір 3 шт.В наявності
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXFP7N100P від бренду IXYS — це уніполярний прилад із каналом збагачення, розрахований на напругу 1 кВ та струм 7 А.У комплекті 3 транзистори.
- Напруга дрена-джерела: 1 кВ
- Струм дрена: 7 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Час готовності: 300 нс
- Комплектація: 3 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга дрена-джерела становить 1 кВ, а максимальний струм дрена — 7 А.
Потужність та монтаж
Потужність розсіювання становить 300 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO220AB з монтажем THT (скрізь отвори).
Технологія та опір каналу
Транзистор виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™. Опір у стані провідності становить 1,9 Ом. Час готовності — 300 нс, а заряд затвора — 47 нКл. Максимальна напруга затвор-джерело — ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴