Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP5N100P, 1 кВ, 5 А, TO220AB, набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFP5N100P від виробника IXYS — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом, призначений для роботи в електронних схемах. Товар постачається набором із 5 штук у корпусі TO220AB, що забезпечує зручність для монтажу та заміни компонентів.

• Набір із 5 транзисторів IXFP5N100P
• Напруга дрена-джерела 1 кВ
• Струм дрена 5 А
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 5 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних пристроях, де потрібна надійна комутація та стабільна робота під навантаженням.

Потужність розсіювання

Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт. Це важливо для проєктування систем охолодження та вибору радіаторів, оскільки компонент здатний витримувати значне теплове навантаження під час експлуатації.

Зарядка затвора

Заряд затвора дорівнює 33,4 нКл. Цей параметр впливає на швидкість перемикання транзистора та визначає вимоги до драйвера затвора у складних електронних модулях.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220AB з монтажем THT (навісним). Таке виконання є стандартним для багатьох плат, що спрощує процес пайки та інтеграцію транзистора в існуючі схеми без необхідності спеціалізованого обладнання для SMD-монтажу.