Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP4N100P, 1 кВ, 4 А, TO220AB, набір 10 шт.
3 300 ₴
- В наявності
- Код: TM035922
Транзистор N-MOSFET IXFP4N100P від виробника IXYS — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі TO220AB і пропонується набором із 10 штук.
- Набір із 10 транзисторів IXFP4N100P
- Напруга дрена-джерела 1 кВ
- Струм дрена 4 А
- Потужність розсіювання 150 Вт
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Заряд затвора 26 нКл
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ та струм дрена 4 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних пристроях, де важлива надійність ізоляції та стабільність роботи під навантаженням.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт. Це забезпечує ефективне відведення тепла під час роботи, що є критичним для довговічності транзистора в силових ланцюгах.
Зручний монтаж
Компонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж) та корпус TO220AB.
Електричні характеристики
Заряд затвора становить 26 нКл. Тип транзистора — N-MOSFET з підвищеним каналом.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Ціна: 3 300 ₴