Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP34N65X2, 650В, 34А, TO220AB — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFP34N65X2 від виробника IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі TO220AB та має максимальну розсіювану потужність 540 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 34 А
• Розсіювана потужність: 540 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектація: набір із 3 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 34 А. Опір у стані провідності становить 0,1 Ом, що забезпечує ефективну роботу при комутації.

Швидкість комутації

Заряд затвора дорівнює 56 нКл, а час готовності — 164 нс. Ці параметри визначають швидкість перемикання транзистора та навантаження на керуючий вузол.

Монтаж та комплектація

Прилад призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220AB. Увага: товар продається набором із 3 штук, що зручно для серійного виробництва або заміни компонентів у кількох пристроях одночасно.