Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP16N50P, 500В, 16А, TO220AB, комплект 10 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFP16N50P від виробника IXYS — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 16 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі TO220AB, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту електронних пристроїв.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 500 В
• Струм стоку: 16 А
• Розсіювана потужність: 300 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплект: 10 штук

Висока напруга та струм

Прилад розрахований на максимальну напругу стік-виток 500 В та постійний струм стоку 16 А. Такі параметри дозволяють використовувати транзистор у силових ключах імпульсних блоків живлення та інверторів. Уніполярна структура та канал збагачення забезпечують стабільну роботу в схемах керування.

Теплові характеристики та опір

Розсіювана потужність становить 300 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла через радіатор. Опір у відкритому стані дорівнює 0,4 Ом, що визначає рівень теплових втрат при протіканні струму. Низький опір зменшує нагрівання компонента під час роботи.

Керування та перемикання

Загальний заряд затвора становить 43 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Цей параметр важливий для розрахунку драйвера затвора та оптимізації частоти роботи схеми. Ефективне керування зарядом затвора забезпечує мінімальні втрати при перемиканні.