Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227B

5 430 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019267
Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227B
Транзистор IXYS IXFN44N100Q3, 1 кВ, 38 А, SOT227BВ наявності
5 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IXFN44N100Q3 — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS, розроблений для роботи у високовольтних електронних схемах. Прилад виконаний у корпусі SOT227B із кріпленням під гвинт, що забезпечує надійний відвід тепла та стабільну роботу в промислових умовах.

  • Напруга дрена-джерела 1 кВ для високовольтних застосувань
  • Постійний струм дрена 38 А та імпульсний до 110 А
  • Потужність розсіювання 960 Вт при кріпленні під гвинт
  • Корпус SOT227B для ефективного відведення тепла
  • Час готовності 300 нс для швидкого перемикання
  • Опір у стані провідності 0,22 Ом для зниження втрат

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ та постійний струм дрена 38 А. Це дозволяє використовувати компонент у потужних інверторах та джерелах живлення, де потрібна робота з високими параметрами без ризику пробою. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 110 А, що важливо для запуску двигунів або зарядки конденсаторів.

Ефективне відведення тепла

Модуль має потужність розсіювання 960 Вт, що вимагає якісного охолодження. Механічне та електричне кріплення під гвинт (прикручуваний монтаж) гарантує щільний контакт із радіатором. Така конструкція мінімізує термічний опір і запобігає перегріву під час тривалих навантажень.

Швидка робота та низькі втрати

Час готовності (turn-on time) становить 300 нс, що забезпечує швидке перемикання та знижує динамічні втрати. Опір у стані провідності дорівнює 0,22 Ом, що зменшує нагрівання при протіканні струму. Заряд затвора 264 нК вказує на необхідність достатньо потужного драйвера для швидкого керування.

Структура та тип каналу

Компонент виготовлений за технологією HiPerFET™ Q3-Class, що поєднує високу швидкість із надійністю. Це однополярний (unipolar) транзистор з каналом збагачення (enhancement mode), що спрощує схеми керування. Максимальна напруга затвор-джерело ±40 В визначає межі безпечної експлуатації драйвера. Структура напівпровідника — одиночний транзистор, що забезпечує простоту монтажу та обслуговування.

Характеристики
Основні
ВиробникIXYS
Максимальна потужність розсіювання960 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік40 В
Максимально допустима напруга стік-витік1000 В
Максимально допустимий струм стоку38 А
Опір у відкритому стані (Rds)220 mOm
Користувальницькі характеристики
Час готовності300 нс
КорпусSOT227B
Інформація для замовлення
  • Ціна: 5 430 ₴