Транзистор IXYS IXFN40N110Q3, 1100 В, 35 А, корпус SOT227B

IXFN40N110Q3 — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS. Пристрій має номінальний струм 35 А та напругу стік-витік 1,1 кВ.

• Номінальна напруга стік-витік 1100 В
• Постійний струм стіка 35 А
• Імпульсний струм стіка до 100 А
• Потужність розсіювання 960 Вт
• Корпус SOT227B із гвинтовим кріпленням
• Опір у відкритому стані 0,26 Ом

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 1,1 кВ та постійний струм стіка 35 А. Максимальний імпульсний струм стіка становить 100 А. Номінальна напруга затвор-витік дорівнює ±40 В.

Корпус та потужність

Модуль виконаний у корпусі SOT227B із гвинтовим кріпленням. Потужність розсіювання досягає 960 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,26 Ом.

Час готовності та заряд затвора

Час готовності транзистора становить 434 нс. Заряд затвора дорівнює 300 нКл. Транзистор виготовлений за технологією HiPerFET™ Q3-Class.