Транзистор IXYS IXFN26N120P, 1200 В, 23 А, корпус SOT227B

IXFN26N120P — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS, призначений для роботи у високовольтних електронних схемах. Пристрій виконаний у корпусі SOT227B із кріпленням під гвинт, що забезпечує надійний контакт із радіатором.

• Напруга дрена-джерела: 1,2 кВ
• Постійний струм дрена: 23 А
• Потужність розсіювання: 695 Вт
• Корпус SOT227B із кріпленням під гвинт
• Час готовності: 300 нс
• Технології HiPerFET™ та Polar™

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 23 А. Це дозволяє використовувати компонент у промислових інверторах та джерелах живлення з високими вимогами до ізоляції. Імпульсний струм дрена може сягати 60 А, що важливо для пускових режимів обладнання.

Ефективне відведення тепла

Модуль має потужність розсіювання 695 Вт, що вимагає якісного охолодження. Механічне та електричне кріплення виконане під гвинт (прикручуваний тип), що гарантує стабільний тепловий контакт із радіатором. Така конструкція мінімізує термічний опір у місці кріплення.

Швидка робота та низькі втрати

Час готовності транзистора становить 300 нс, що забезпечує швидке перемикання у високочастотних схемах. Опір у стані провідності дорівнює 0,5 Ом, що знижує втрати потужності під час роботи.

Керування та параметри затвора

Заряд затвора становить 255 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±40 В. Ці параметри визначають вимоги до драйвера керування та дозволяють точно налаштувати режим роботи транзистора в електронних модулях.