IXFN210N30X3 — це силовий MOSFET-транзистор від виробника IXYS. Компонент забезпечує комутацію струму до 210 А при напрузі 300 В у компактному корпусі SOT227B.
- Струм стоку 210 А для потужних навантажень
- Напруга стік-витік 300 В
- Піковий струм у імпульсі 650 А
- Час готовності 190 нс для швидкої комутації
- Опір у відкритому стані 4,6 мОм
- Корпус SOT227B з гвинтовим монтажем
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 210 А. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 650 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна потужність розсіювання становить 695 Вт. Для монтажу використовується гвинтове кріплення (прикручуване).
Швидка комутація та низькі втрати
Час готовності транзистора становить 190 нс. Опір у відкритому стані дорівнює 4,6 мОм. Заряд затвора 375 нКл.
Технологія та конструкція
Компонент виготовлений за технологією HiPerFET™ X3-Class. Це уніполярний транзистор з каналом збагачення. Корпус SOT227B.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 695 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 210 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.6 mOm |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 190 нс |
| Корпус | SOT227B |
Інформація для замовлення
- Ціна: 4 490 ₴

