Модуль транзистора IXYS IXFN180N25T, 250V, 168A, SOT227B

IXFN180N25T — це силовий MOSFET-модуль від виробника IXYS, розроблений для високопотужних електронних систем. Пристрій забезпечує стабільну роботу при струмі 168 А та напрузі 250 В, призначений для застосування в силових електронних схемах.

• Струм стоку 168 А та напруга 250 В для потужних систем
• Технологія GigaMOS™ для високої ефективності
• Розсіювана потужність 900 Вт
• Імпульсний струм до 500 А
• Корпус SOT227B із гвинтовим монтажем
• Час готовності 200 нс

Висока ефективність та надійність

Модуль виготовлений за технологією GigaMOS™, що гарантує низькі втрати енергії та високу швидкість перемикання. Час готовності становить 200 нс, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високочастотним керуванням. Номінальний струм стоку 168 А та напруга стік-витік 250 В підтверджують здатність модуля працювати в складних умовах навантаження.

Потужність та тепловий режим

Компонент здатний розсіювати потужність до 900 Вт, що є критично важливим для стабільної роботи силових каскадів. Імпульсний струм стоку може досягати 500 А, що забезпечує запас міцності при короткочасних пікових навантаженнях. Низький опір у стані провідності 12,9 мОм мінімізує нагрівання під час роботи. Тип модуля — транзисторний MOSFET.

Конструкція та монтаж

Модуль виконаний у корпусі SOT227B із гвинтовим (прикручуваним) типом монтажу, що спрощує встановлення на радіатори та шасі. Структура модуля — одиночний транзистор, полярність — однополярна, що спрощує схемотехнічне проектування. Напруга затвор-витік ±30 В та заряд затвора 364 нКл визначають параметри керуючих сигналів для драйверів. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode).