Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK80N60P3, 600В, 80А, TO264 — набір 2 шт.

Транзистор IXFK80N60P3 від виробника IXYS — це силовий N-MOSFET у корпусі TO264, має номінальні параметри: напруга дренаж-виток 600 В, струм дренажу 80 А. Цей компонент підходить для промислових застосувань, де потрібна надійність та висока потужність розсіювання.

• Струм дренажу: 80 А
• Напруга дренаж-виток: 600 В
• Потужність розсіювання: 1,3 кВт
• Опір у стані провідності: 77 мОм
• Корпус: TO264, монтаж THT
• У комплекті: 2 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм дренажу 80 А та напругу дренаж-виток 600 В. Максимальна потужність розсіювання становить 1,3 кВт, що підходить для силових електронних схем, вимагає належного охолодження.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 77 мОм. Таке низьке значення зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що зменшує втрати потужності.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO264 з монтажем THT (скрізь отвори). Це забезпечує надійне кріплення до плати та корпус дозволяє кріплення радіатора, що критично важливо для силових транзисторів із високим струмом.

Електричні характеристики та заряди

Заряди транзистора становлять 0,19 мкКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Компонент є уніполярним із збагачуваним каналом, що визначає специфіку керування. Товар постачається як набір із 2 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонтних робіт.