Транзистор IXFK420N10T від бренду IXYS — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 420 А. Прилад виконаний у корпусі TO264 для монтажу на плату (THT) та використовує технологію GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™.
- Струм стоку 420 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Потужність розсіювання 1670 Вт
- Опір у стані провідності 2,6 мОм
- Корпус TO264 для монтажу THT
- Час готовності 140 нс
Висока потужність розсіювання
Транзистор здатен розсіювати потужність до 1670 Вт (1,67 кВт). Параметр вказує на здатність компонента відводити значну кількість тепла при роботі.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 2,6 мОм. Низький опір зменшує теплові втрати на самому транзисторі при протіканні струму.
Керування та заряд затвора
Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 670 нКл. Час готовності транзистора дорівнює 140 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1670 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 420 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 140 нс |
| Корпус | TO264 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴

