Транзистор IXYS IXFK230N20T N-MOSFET 200V 230A TO264

Транзистор IXFK230N20T від виробника IXYS — це силовий N-канальний MOSFET у корпусі TO264. Пристрій розрахований на напругу 200 В та струм 230 А, що робить його придатним для потужних електронних схем.

• Напруга дрена-джерела: 200 В
• Струм дрена: 230 А
• Потужність розсіювання: 1,67 кВт
• Опір у стані провідності: 7,5 мОм
• Корпус: TO264
• Тип: N-MOSFET, trench gate

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 200 В та максимальний струм дрена 230 А. Потужність розсіювання становить 1,67 кВт. Опір у стані провідності дорівнює 7,5 мОм, що мінімізує втрати енергії під час роботи.

Тип та конструкція

Це уніполярний транзистор з каналом збагачення (enhancement mode). Технологія trench gate power MOSFET забезпечує ефективне перемикання. Заряд затвора становить 358 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO264 з виводами для монтажу в отвори (THT). Такий формат корпусу дозволяє ефективно відводити тепло від потужного напівпровідника.