Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X, 850 В, 9,5 А, ISO247 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFJ20N85X — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 850 В та струм 9,5 А. Комплект складається з 2 штук у корпусі ISO247™ для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела: 850 В
• Струм дрена: 9,5 А (імпульсний до 50 А)
• Корпус: ISO247™, монтаж THT
• Комплектація: 2 штуки
• Технологія: HiPerFET™, X-Class

Висока напруга та струм

Прилад працює з напругою дрена-джерела 850 В та постійним струмом дрена 9,5 А. Імпульсний струм може досягати 50 А.

Технологія X-Class

Використання технології HiPerFET™ та серії X-Class забезпечує властивості ultra junction.

Електричні параметри

Опір у стані провідності становить 0,36 Ом. Заряд затвора дорівнює 63 нКл, а час готовності — 190 нс. Максимальна розсіювана потужність — 110 Вт.

Монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі ISO247™ для монтажу в отвори друкованих плат (THT). Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Поляризація транзистора — уніполярна.