Транзистор IXYS IXFH80N65X2-4 N-MOSFET 650V 80A TO247-4 (2 шт.)

Транзистор IXYS IXFH80N65X2-4 — це силовий N-MOSFET класу X2, призначений для високовольтних та високострумових застосувань. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-4, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Струм стоку 80 А
• Напруга стік-витік 650 В
• Потужність розсіювання 890 Вт
• Опір у стані провідності 38 мОм
• Час готовності 200 нс
• Корпус TO247-4, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 80 А та напругу стік-витік 650 В. Потужність розсіювання становить 890 Вт, що дозволяє використовувати компонент у високовольтних та високострумових схемах за умови належного охолодження.

Швидка комутація

Час готовності транзистора становить 200 нс, що забезпечує швидке перемикання та знижує втрати на комутацію у високочастотних схемах. Низький заряд затвора 0,14 мкКл спрощує керування та зменшує навантаження на драйвер затвора.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 38 мОм. Це мінімізує теплові втрати при протіканні струму, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Технологія HiPerFET та клас X2

Транзистор виготовлений за технологією HiPerFET™ та належить до класу X2, що визначає його специфічні характеристики та надійність. Корпус TO247-4 з монтажем THT забезпечує зручне встановлення на плату. Комплект містить 2 одиниці.