Транзистор IXYS IXFH80N65X2 N-MOSFET 650V 80A TO247-3 (2 шт.)

Транзистор IXYS IXFH80N65X2 — це силовий N-MOSFET класу X2. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Напруга дрена-джерела 650 В
• Струм дрена 80 А
• Розсіювана потужність 890 Вт
• Опір у стані провідності 38 мОм
• Час готовності 200 нс
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 650 В та витримує постійний струм дрена 80 А. Висока напруга пробою гарантує стабільну роботу в мережах з підвищеним рівнем навантаження.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 890 Вт, що вимагає якісного охолодження. Низький опір у стані провідності 38 мОм зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою та зменшує навантаження на систему охолодження.

Технологія HiPerFET™ та X2-Class

Транзистор виготовлений за технологією HiPerFET™ та належить до класу X2. Час готовності становить 200 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Заряд затвора 0,14 мкКл дозволяє ефективно керувати компонентом із мінімальними втратами на керування.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі TO247-3 для вивідного монтажу (THT), що забезпечує міцне кріплення та добрий контакт із радіатором. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Максимальна напруга затвор-джерело ±30 В визначає вимоги до драйвера керування.