Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH6N120, 1200 В, 6 А, TO247-3, комплект 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFH6N120 від бренду IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електричних колах. У комплекті постачаються два транзистори в корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 1,2 кВ
• Номінальний струм стіка: 6 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 1,2 кВ та номінальний струм стіка 6 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт, що дозволяє використовувати прилад у силових схемах. Заряд затвора дорівнює 56 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі TO247-3 з трьома виводами. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що забезпечує надійне кріплення до друкованої плати. Транзистор є уніполярним, тобто має один тип носіїв заряду.

Транзистор IXFH6N120 підходить для інженерів та радіоаматорів, які збирають або ремонтують електронні пристрої з вимогами до високої напруги та струму.