Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH52N50P2, 500В, 52А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXFH52N50P2 від виробника IXYS — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з двох компонентів у корпусі TO247-3 з виводами для монтажу в отвори друкованої плати (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стіка: 52 А
• Потужність розсіювання: 960 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та постійний струм стіка 52 А. Потужність розсіювання становить 960 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом, а заряд затвора — 113 нКл.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи проходять крізь отвори друкованої плати.

Комплектація

У пакуванні знаходяться 2 транзистори IXFH52N50P2.