Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH50N30Q3, 300В, 50А, TO247-3 — набір 2 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035919
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH50N30Q3, 300В, 50А, TO247-3 — набір 2 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXFH50N30Q3 — це N-MOSFET у корпусі TO247-3 з номінальним струмом 50 А та напругою 300 В. Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™ та має опір у відкритому стані 80 мОм.
- Струм стіка 50 А
- Напруга стік-витік 300 В
- Потужність розсіювання 690 Вт
- Опір у відкритому стані 80 мОм
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Технологія HiPerFET™
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 300 В та витримує постійний струм стіка 50 А. Потужність розсіювання становить 690 Вт. Заряд затвора дорівнює 65 нКл, а максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Опір у відкритому стані становить 80 мОм.
Корпус та технологія
Час готовності (switching time) транзистора становить 250 нс. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO247-3. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™. Час готовності (switching time) транзистора становить 250 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 690 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 300 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | HiPerFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴