Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH22N50P, 500В, 22А, TO247-3 — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFH22N50P від бренду IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 22 А. Корпус TO247-3. Потужність розсіювання: 350 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 500 В
• Струм стоку: 22 А
• Потужність розсіювання: 350 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Опір у відкритому стані: 0,27 Ом
• Заряд затвора: 50 нКл
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Технічні параметри

Прилад має максимальну напругу між стоком та витоком 500 В. Номінальний струм стоку становить 22 А, а опір у відкритому стані дорівнює 0,27 Ом. Загальний заряд затвора — 50 нКл.

Монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі TO247-3, який призначений для вивідного монтажу (THT). Монтаж: THT (вивідний).

Комплектація

Увага: товар продається набором, що містить 3 транзистори IXFH22N50P.