Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH18N60P, 600В, 18А, TO247-3 — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFH18N60P від бренду IXYS — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 18 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 18 А
• Розсіювана потужність: 360 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,4 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• У комплекті: 3 штуки

Технічні параметри

Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з опором у відкритому стані 0,4 Ом. Максимальна розсіювана потужність становить 360 Вт, а заряд затвора — 50 нКл.

Комплектація товару IXFH18N60P Товар поставляється у вигляді набору, що містить 3 транзистори IXFH18N60P. Така комплектація дозволяє отримати кілька однакових компонентів в одній упаковці. Кожна одиниця в наборі має ідентичні технічні характеристики та маркування. Набір зручний для закупівлі необхідної кількості деталей для монтажу.