Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH170N25X3, 250В, 170А, корпус TO247-3

IXFH170N25X3 — це напівпровідниковий прилад типу N-MOSFET від виробника IXYS. Транзистор виконаний у корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT) та має номінальні параметри 250 В та 170 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з уніполярною структурою
• Максимальна напруга стік-витік: 250 В
• Струм стіка: 170 А
• Розсіювана потужність: 890 Вт
• Опір у відкритому стані: 7,4 мОм
• Час готовності: 140 нс
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Електричні параметри та потужність

Прилад працює з напругою стік-витік до 250 В та витримує постійний струм стіка 170 А. Максимальна розсіювана потужність становить 890 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 7,4 мОм.

Швидкодія та керування

Час готовності транзистора становить 140 нс, що визначає швидкість його перемикання. Заряд затвора дорівнює 0,19 мкКл. Прилад є уніполярним та має збагачуваний канал, що є стандартною характеристикою для MOSFET-транзисторів цього класу.

Технологія та конструкція

Транзистор виготовлений за технологією Ultra Junction X-Class. Корпус TO247-3, монтаж на друковану плату за допомогою виводів (THT).