Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH120N15P, 150В, 120А, TO247-3 — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFH120N15P від бренду IXYS — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3. Модель належить до серії Polar™ та використовує технологію HiPerFET™ для ефективного перемикання струму.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 150 В
• Максимальний струм дрена: 120 А
• Потужність розсіювання: 600 Вт
• Опір у стані провідності: 16 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Технологія: HiPerFET™, Polar™
• У комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 150 В та постійний струм дрена 120 А. Потужність розсіювання становить 600 Вт, що дозволяє використовувати прилад у потужних силових схемах. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 16 мОм, що мінімізує втрати енергії під час роботи.

Технологія та монтаж

Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™ та Polar™, що забезпечує швидке перемикання. Загальний заряд затвора (Qg) становить 150 нКл. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT) у стандартному корпусі TO247-3, що зручно для ручного паяння та прототипування.

Полярність та тип каналу

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це означає, що прилад відкритий лише за наявності напруги на затворі відносно витоку, що забезпечує надійне керування у силових схемах. Така полярність та тип каналу визначають специфіку підключення та керування в електронних пристроях.