Транзистор N-MOSFET IXYS IXFH110N10P, 100В, 110А, TO247-3 — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXFH110N10P від бренду IXYS — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3. Він розрахований на напругу 100 В та струм 110 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Максимальна напруга: 100 В
• Струм стоку: 110 А
• Потужність розсіювання: 480 Вт
• Корпус: TO247-3
• Тип монтажу: THT
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Технічні характеристики

Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 110 А. Потужність розсіювання дорівнює 480 Вт.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у стандартному корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).

Комплектація

Увага: даний товар продається як набір із 3 транзисторів IXFH110N10P. Транзистор виготовлений за технологіями HiPerFET™ та Polar™. Зарядка затвора становить 110 нКл, а опір у відкритому стані — 15 мОм.