Транзистор IXYS IXFH10N100P, N-MOSFET, 1 кВ, 10 А, TO247-3, комплект 3 шт.
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM074606
Транзистор IXYS IXFH10N100P, N-MOSFET, 1 кВ, 10 А, TO247-3, комплект 3 шт.В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із трьох силових транзисторів IXYS IXFH10N100P типу N-MOSFET у корпусі TO247-3. Мають максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ, струм дрена до 10 А та потужність розсіювання 380 Вт.
- Комплект із 3 транзисторів IXYS IXFH10N100P
- Напруга дрена-джерела до 1 кВ
- Струм дрена до 10 А
- Потужність розсіювання 380 Вт
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Технологія HiPerFET™, Polar™
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу дрена-джерела 1 кВ та максимальний струм дрена 10 А. Напруга затвора-джерела становить ±30 В.
Потужність та опір
Максимальна потужність розсіювання становить 380 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 1,4 Ом.
Технологія та швидкодія
Використовується технологія HiPerFET™ та Polar™ з каналом, що збагачується. Час готовності становить 300 нс, а заряд затвора — 56 нКл.
Монтаж та комплектація
Монтаж у корпусі TO247-3 виконується в отвори (THT). У комплекті постачається 3 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 380 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴