Транзистор N-MOSFET IXYS IXFB82N60Q3, 600В, 82А, 1560Вт, корпус PLUS264™ (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFB82N60Q3 — це силовий напівпровідниковий прилад класу Q3, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 600 В. Комплект складається з двох одиниць у корпусі PLUS264™ з монтажем THT.

• Напруга стік-витік 600 В
• Струм стоку 82 А
• Потужність розсіювання 1,56 кВт
• Опір у відкритому стані 75 мОм
• Час готовності 300 нс
• Корпус PLUS264™, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Електричні параметри

Прилад має напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стоку 82 А. Потужність розсіювання становить 1,56 кВт, а опір у відкритому стані — 75 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, що визначає режими керування.

Швидкодія та технологія

Транзистор виготовлений за технологією HiPerFET™ класу Q3. Час готовності (switching time) дорівнює 300 нс, що характеризує швидкість перемикання приладу. Заряд затвора становить 275 нКл, що впливає на потужність керування.