
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA8N85XHV, 850В, 8А, 200Вт, TO263HV (5 шт.)
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM019251
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA8N85XHV — це силовий компонент серії X-Class для високовольтних застосувань. Комплект із 5 штук забезпечує надійну комутацію в електронних схемах із напругою до 850 В та струмом до 8 А.
- Напруга дрена-джерела до 850 В
- Струм дрена 8 А (імпульсний до 16 А)
- Потужність розсіювання 200 Вт
- Корпус TO263HV для SMD монтажу
- Час готовності 125 нс
- Комплект із 5 транзисторів
Високовольтна комутація
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 850 В, що що робить його придатним для високовольтних застосувань. Номінальний струм дрена становить 8 А, а імпульсний струм може досягати 16 А. Це робить компонент придатним для систем із високими вимогами до навантаження.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 200 Вт, що вимагає належного теплового відведення. Корпус TO263HV (SMD) забезпечує компактне розміщення на платі. Таке рішення підходить для пристроїв із обмеженим простором, але високими тепловими навантаженнями.
Швидка робота та керування
Час готовності транзистора становить 125 нс, що забезпечує швидке перемикання в імпульсних схемах. Заряд затвора дорівнює 17 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±30 В. Опір у стані провідності становить 0,85 Ом.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 850 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 125 нс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263HV |
- Ціна: 2 630 ₴
