Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA7N100P, 1 кВ, 7 А, TO263 — набір 3 шт.
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035914
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA7N100P, 1 кВ, 7 А, TO263 — набір 3 шт.В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA7N100P — це напівпровідниковий прилад типу Polar™ з напругою стік-витік 1 кВ та струмом 7 А. Транзистор виконаний у корпусі TO263.
- Тип: N-MOSFET, технологія Polar™
- Напруга стік-витік: 1 кВ
- Струм стіка: 7 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO263 (SMD)
- У комплекті: 3 шт.
Технічні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 1 кВ та максимальний струм стіка 7 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 1,9 Ом, а заряд затвора — 47 нКл.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У наборі поставляється 3 транзистори. Модель IXFA7N100P має напругу затвор-витік ±30 В та час готовності 300 нс.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1900 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴