Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA180N10T2, 100В, 180А, TO263 — набір 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA180N10T2 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO263 для монтажу на поверхню (SMD). Модель розрахована на струм до 180 А та напругу 100 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга: 100 В
• Струм витоку: 180 А
• Корпус: TO263 (SMD монтаж)
• Опір у відкритому стані: 6 мОм
• Комплект: 3 шт.

Технічні характеристики

Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 100 В, а постійний струм витоку — 180 А. Опір у відкритому стані дорівнює 6 мОм.

Монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі TO263, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє розміщувати компонент безпосередньо на друкованій платі.

Комплект поставки

Увага: товар постачається набором із 3 штук. Транзистор має заряд затвора 185 нКл та час готовності 66 нс. Виробник IXYS.