Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3, 500В, 16А, TO263 (набір 10 шт.)
2 390 ₴
- В наявності
- Код: TM074599
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3, 500В, 16А, TO263 (набір 10 шт.)В наявності
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N50P3 — це уніполярний польовий транзистор із збагачуваним каналом, розроблений для роботи з напругою до 500 В та струмом до 16 А. Прилад виготовлений за технологією HiPerFET™ та Polar3™ у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з уніполярним збагачуваним каналом
- Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 16 А
- Потужність розсіювання: 330 Вт
- Корпус: TO263 для SMD-монтажу
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 16 А. Потужність розсіювання становить 330 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,36 Ом, а заряд затвора — 29 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO263 (D2PAK) для технології поверхневого монтажу (SMD).
Комплект поставки
Товар постачається набором із 10 транзисторів. Час готовності (turn-on time) становить 250 нс. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 250 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 390 ₴