Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA130N10T2, 100В, 130А, TO263 — набір 5 шт.
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM035912
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA130N10T2, 100В, 130А, TO263 — набір 5 шт.В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA130N10T2 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 130 А при напрузі 100 В. Корпус TO263, монтаж SMD.
- Струм стоку: 130 А
- Напруга стік-витік: 100 В
- Потужність розсіювання: 360 Вт
- Опір у відкритому стані: 10,1 мОм
- Корпус: TO263 (монтаж SMD)
- У комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Прилад має номінальний струм стоку 130 А та максимальну напругу стік-витік 100 В. Опір у відкритому стані становить 10,1 мОм. Загальна потужність розсіювання досягає 360 Вт.
Тип та конструкція
IXFA130N10T2 є уніполярним N-канальним MOSFET-транзистором з технологією trench gate power mosfet. Монтаж виконується методом SMD у корпусі TO263.
Комплектація
Товар поставляється набором із 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 360 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 130 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴