Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P, 800В, 10А, TO263 — набір 5 шт.
2 670 ₴
- В наявності
- Код: TM019248
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P, 800В, 10А, TO263 — набір 5 шт.В наявності
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA10N80P — це силовий напівпровідниковий прилад для високовольтних схем. Модель належить до серії Polar™ та HiPerFET™, що забезпечує стабільну роботу в умовах високих навантажень.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 10 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO263 (SMD)
- Технологія: HiPerFET™, Polar™
Високовольтна стійкість
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В. Прилад призначений для роботи у високовольтних електронних схемах. Заряд затвора становить 40 нКл.
Потужність та струм
Прилад витримує постійний струм дрена 10 А та має потужність розсіювання 300 Вт. Прилад підходить для застосування в силових електронних пристроях.
Технологія та монтаж
Транзистор використовує технології HiPerFET™ та Polar™. Корпус TO263 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (unipolar).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 670 ₴