Транзистор IGBT IXYS IXBX75N170A, 1,7 кВ, 65 А, корпус PLUS247™
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035911
Транзистор IGBT IXYS IXBX75N170A, 1,7 кВ, 65 А, корпус PLUS247™В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT IXBX75N170A від виробника IXYS — це напівпровідниковий прилад технології BiMOSFET™ у корпусі PLUS247™. Має властивість високовольтного напівпровідникового елемента.
- Напруга колектор-емітер: 1,7 кВ
- Струм колектора: 65 А (імпульсний до 300 А)
- Технологія: BiMOSFET™
- Корпус: PLUS247™, монтаж THT
- Розсіювана потужність: 1,04 кВт
- Час замикання: 65 нс
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,7 кВ та постійний струм колектора 65 А. Імпульсний струм колектора становить 300 А.
Швидка комутація
Час замикання становить 65 нс, а час розмикання — 595 нс. Заряд затвора становить 358 нК.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність становить 1,04 кВт.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі PLUS247™ з типом монтажу THT (скрізний монтаж). Тип монтажу: THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 1040 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 300 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | PLUS247™ |
| Технологія | BiMOSFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴