Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170 — це високовольтний компонент технології BiMOSFET™ у корпусі D3PAK для монтажу SMD. Комплект складається з 2 штук, що забезпечує номінальний струм колектора 6 А при напрузі 1,7 кВ.
- Напруга колектор-емітер 1,7 кВ
- Номінальний струм колектора 6 А
- Імпульсний струм до 36 А
- Потужність розсіювання 75 Вт
- Корпус D3PAK для SMD монтажу
- Комплект із 2 транзисторів
Високовольтна робота
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,7 кВ, що дозволяє використовувати його у високовольтних схемах. Максимальний імпульсний струм колектора становить 36 А, що забезпечує надійну роботу під час пікових навантажень.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання 75 Вт дозволяє компоненту ефективно відводити тепло під час роботи. Це важливо для стабільної роботи пристроїв без перегріву.
Швидка комутація
Час включення транзистора становить 104 нс, а час вимикання — 700 нс. Такі характеристики забезпечують швидке перемикання станів у силових електронних схемах.
Зручний монтаж та керування
Компонент виконаний у корпусі D3PAK для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує пайку та інтеграцію у друковані плати. Напруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 17 нКл, що визначає параметри керуючого сигналу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 36 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | D3PAK |
| Технологія | BiMOSFET™, FRED |
- Ціна: 3 230 ₴

