Транзистор IGBT IXYS IXBT24N170, 1,7 кВ, 24 А, TO268 — набір 2 шт.

Транзистор IGBT від бренду IXYS, модель IXBT24N170, призначений для високонапругових застосувань. Цей компонент у корпусі TO268 забезпечує робочу напругу 1,7 кВ та струм колектора 24 А, що робить його придатним для потужних електронних схем.

• Напруга колектор-емітер 1,7 кВ для високонапругових застосувань
• Струм колектора 24 А та імпульсний струм 230 А
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Корпус TO268 та монтаж SMD
• Технологія BiMOSFET™ для ефективної комутації
• Набір із 2 транзисторів

Високонапругова робота

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,7 кВ, що дозволяє використовувати його в системах з підвищеною напругою. Така характеристика важлива для промислового обладнання та енергетичних перетворювачів, де стабільність при високих навантаженнях є критичною.

Потужність та струм

Компонент витримує постійний струм колектора 24 А та імпульсний струм до 230 А. Потужність розсіювання становить 250 Вт, що вимагає належного теплового відведення. Це забезпечує надійну роботу в режимах з високими піковими навантаженнями.

Технологія та монтаж

Використовується технологія BiMOSFET™, що поєднує переваги біполярних та MOSFET-структур. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі TO268, що спрощує автоматизоване виробництво плат. Швидкість перемикання (час замикання 190 нс, розмикання 1285 нс) оптимізована для ефективної комутації.

Швидкість перемикання та керування затвором

Час замикання становить 190 нс, а розмикання — 1285 нс, що забезпечує ефективну комутацію в імпульсних схемах. Максимальна напруга затвор-емітер ±20 В визначає вимоги до драйвера керування. Заряд затвора 0,14 мкКл впливає на потужність, необхідну для швидкого перемикання. Товар поставляється набором із 2 штук, що зручно для ремонтних робіт або прототипування.