Транзистор IGBT IXYS IXBK55N300 — це високовольтний компонент технології BiMOSFET™ у корпусі TO264. Компонент має напругу колектор-емітер 3 кВ та номінальний струм колектора 55 А.
- Напруга колектор-емітер 3 кВ для високовольтних застосувань
- Номінальний струм колектора 55 А з імпульсним струмом до 600 А
- Потужність розсіювання 625 Вт у корпусі TO264
- Технологія BiMOSFET™ для оптимізації характеристик
- Час ввімкнення 637 нс та вимкнення 475 нс
- Монтаж THT для надійного кріплення на платі
Висока напруга
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 3 кВ. Це визначає його застосування в схемах з високою напругою.
Струм та потужність
Номінальний струм колектора становить 55 А, а імпульсний струм досягає 600 А. Потужність розсіювання становить 625 Вт.
Час перемикання
Час ввімкнення становить 637 нс, а вимкнення — 475 нс.
Технологія та корпус
Компонент виготовлений за технологією BiMOSFET™. Монтаж виконується методом THT. Корпус — TO264.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 625 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 600 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO264 |
| Технологія | BiMOSFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 8 490 ₴

