Транзистор IGBT IXYS IXBH42N170A, 1,7 кВ, 21 А, TO247-3

Транзистор IGBT IXYS IXBH42N170A — це високовольтний напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3, призначений для потужних електронних систем. Завдяки технології BiMOSFET™ та високій напрузі колектор-емітер 1,7 кВ він забезпечує ефективне перемикання у промислових застосуваннях.

• Напруга колектор-емітер 1,7 кВ для високовольтних застосувань
• Номінальний струм колектора 21 А
• Розсіювана потужність 357 Вт
• Технологія BiMOSFET™ для оптимізованої роботи
• Корпус TO247-3 зі скрізним монтажем (THT)
• Час замикання 33 нс

Висока напруга та струм

Прилад працює з напругою колектор-емітер 1,7 кВ та номінальним струмом колектора 21 А. Це дозволяє використовувати транзистор у високовольтних інверторах та джерелах живлення, де потрібна надійна робота під великим навантаженням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт. Такий показник гарантує стабільну роботу компонента у складних термічних умовах, що є критичним для промислового обладнання.

Швидке перемикання

Час замикання транзистора становить 33 нс, а час розмикання — 308 нс. Ці параметри забезпечують швидку реакцію на керуючі сигнали, що важливо для систем із високими вимогами до точності та швидкодії.

Висока імпульсна потужність та керування затворами

Прилад витримує імпульсний струм колектора до 265 А, що забезпечує високу надійність у режимах пікових навантажень. Максимальна напруга затвор-емітер становить ±20 В, а заряд затвора — 188 нКл. Ці параметри визначають вимоги до драйвера затвора та дозволяють точно розрахувати енергію перемикання.