Модуль IGBT IXYS IXA20PG1200DHGLB, напівміст, 1,2 кВ, SMT — набір 3 шт.

Напівпровідниковий модуль IGBT від виробника IXYS, модель IXA20PG1200DHGLB, призначений для роботи у складі топології напівмістка. Компонент виконаний у корпусі SMPD-B із технологією монтажу SMT, що забезпечує компактність та зручність інтеграції у промислові пристрої.

• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Номінальний струм колектора 23 А
• Імпульсний струм колектора до 45 А
• Технології ISOPLUS™ та Sonic FRD™
• Корпус SMPD-B, монтаж SMT
• У комплекті 3 шт.

#
Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ, що дозволяє використовувати його у високовольтних інверторах та перетворювачах. Номінальний струм колектора становить 23 А, а імпульсний струм може досягати 45 А, що забезпечує надійну роботу під час пікових навантажень.

#
Використання технологій ISOPLUS™ та Sonic FRD™ підвищує ефективність перемикання та знижує втрати енергії. Це важливо для систем, де критичним є коефіцієнт корисної дії та мінімізація нагрівання компонентів.

#
Компонент має структуру «діод/транзистор» та топологію напівмістка, що спрощує схемотехнічне рішення. У комплекті постачається 3 шт. модулів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

Модуль IXYS IXA20PG1200DHGLB є оптимальним рішенням для інженерів та виробників промислової електроніки, яким потрібні надійні напівпровідникові ключі з високими параметрами напруги та струму.