Інтегральна мікросхема Texas Instruments ISO5852SDW, 2 канали, 3 шт

Інтегральна мікросхема Texas Instruments ISO5852SDW — це драйвер для напівмостів IGBT та MOSFET у корпусі SO16-W. Комплект складається з 3 одиниць, що забезпечує гальванічну ізоляцію та захист від зниженої напруги.

• Драйвер для напівмостів IGBT та MOSFET
• Гальванічна ізоляція 5,7 кВ
• Вихідний струм -5...2,5 А
• Час наростання 35 нс, спадання 37 нс
• Захист від зниженої напруги (UVP)
• Комплект: 3 шт.

Гальванічна ізоляція та захист

Мікросхема забезпечує гальванічну ізоляцію з напругою 5,7 кВ. Вбудоване захисне відключення при зниженій напрузі (UVP) контролює стан живлення.

Швидкість перемикання

Час наростання імпульсу становить 35 нс, а час спадання — 37 нс.

Електричні параметри

Драйвер працює з вихідним струмом від -5 до 2,5 А та живиться напругою 15...30 В DC. Вхідна напруга керуючих сигналів може бути від 2,25 до 5,5 В.

Умови експлуатації

Компонент розрахований на роботу в температурному діапазоні від -40 до 125 °C. Монтаж виконується методом поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SO16-W. Драйвер має 2 канали.