Транзистор N-MOSFET Infineon IRLS3036TRL7PP, 60В, 210А, D2PAK-7 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLS3036TRL7PP у корпусі D2PAK-7. Призначений для силових схем із навантаженням до 210 А та напругою до 60 В. Виготовлений за технологією HEXFET®, що забезпечує низький опір у відкритому стані.

• Струм стоку 210 А для потужних навантажень
• Імпульсний струм до 1 кА
• Низький опір у відкритому стані 1,9 мОм
• Розсіювана потужність 380 Вт
• Корпус D2PAK-7 для SMD монтажу
• Технологія HEXFET® від Infineon

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 210 А, що дозволяє керувати потужними навантаженнями. Імпульсний струм може досягати 1 кА. Максимальна розсіювана потужність становить 380 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу.

Низький опір та ефективність

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 1,9 мОм. Таке значення мінімізує втрати потужності на нагріванні транзистора під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі D2PAK-7 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат полегшує автоматизацію виробництва та забезпечує компактність плати. Напруга затвор-виток обмежена ±16 В.

Комплектація

У комплекті 10 транзисторів Infineon IRLS3036TRL7PP. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення (N-MOSFET), що забезпечує стандартну логіку керування для силових ключів.