Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR3110ZTRPBF, 100В, 63А, DPAK (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRLR3110ZTRPBF у корпусі DPAK. Призначені для силових комутаційних схем із навантаженням до 63 А та напругою до 100 В.

• Напруга дренаж-джерело: 100 В
• Максимальний струм дренажу: 63 А
• Розсіювана потужність: 140 Вт
• Корпус DPAK для SMD монтажу
• Технологія HEXFET® та Logic Level
• Комплект: 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистори мають розсіювану потужність 140 Вт. Максимальний струм дренажу становить 63 А, а напруга дренаж-джерело — 100 В. Ці параметри визначають робочий діапазон пристроїв у силових вузлах.

Технологія та керування

Пристрої виготовлені за технологією HEXFET®, що є характерною особливістю цієї серії. Характеристика Logic Level вказує на низький поріг відкривання. Монтаж виконується методом SMD у корпусі DPAK.

Комплект та структура

Упаковка містить 20 одиниць. Транзистори є уніполярними з каналом збагачуваного типу.

Транзистори призначені для комутаційних схем із високими струмами та напругами.