Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905ZTRPBF, 55В, 43А, DPAK (набір 20 шт.)

N-канальний MOSFET-транзистор Infineon IRLR2905ZTRPBF у корпусі DPAK призначений для застосувань у силових ланцюгах із логічним рівнем керування. Комплект із 20 одиниць забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Струм стоку 43 А та імпульсний струм 240 А
• Напруга стік-витік 55 В
• Розсіювана потужність 110 Вт
• Опір у відкритому стані 13,5 мОм
• Корпус DPAK для поверхневого монтажу (SMD)
• Логічний рівень керування затвором
• Комплект із 20 транзисторів

Потужність та струмові характеристики

Транзистор розрахований на максимальну розсіювану потужність 110 Вт та постійний струм стоку 43 А. Імпульсний струм може досягати 240 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високими піковими навантаженнями. Максимальна напруга стік-витік становить 55 В, що визначає граничне значення для цього компонента.

Ефективність та опір у відкритому стані

Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 13,5 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Такий низький опір важливий для підвищення ККД силових ланцюгів та зменшення теплових втрат.

Зручність монтажу та керування

Компонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у стандартному корпусі DPAK, що спрощує автоматизоване паяння на друкованих платах. Транзистор має логічний рівень керування (logic level), що дозволяє керувати ним сигналами логічного рівня. Максимальна напруга затвор-витік становить ±16 В, а заряд затвора — 35 нКл. Технологія HEXFET® забезпечує стабільні характеристики транзистора. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.