Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF, DPAK, 55V, 30A, комплект 20 шт.
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM074509
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF, DPAK, 55V, 30A, комплект 20 шт.В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLR2905TRPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: 55 В
- Струм дрена: 30 А (постійний), 160 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 110 Вт
- Опір у стані провідності: 27 мОм
- Комплектація: 20 шт.
Напруга та струм
Транзистор має напругу дрена-джерела 55 В та постійний струм дрена 30 А. У імпульсному режимі струм може досягати 160 А, а розсіювана потужність становить 110 Вт.
Опір та технологія
Прилад виготовлений за технологією HEXFET® і має канал збагачення. Опір у стані провідності дорівнює 27 мОм. Напруга затвор-джерело становить ±16 В, а заряд затвора — 48 нКл. Транзистор має властивість логічного рівня (logic level).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴